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GB/T 45716-2025

半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性试验

Semiconductor devices—Bias temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs)

发布:2025-05-30实施:2025-09-01
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