推荐性国家标准现行采标
GB/T 13388-2009
硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
Method for measuring crystallographic orientation of flats on single-crystal silicon slices and wafers by X-ray techniques
- 实施日期
- 2010-06-01
- ICS 分类
- 29.045
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半导体材料
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推荐性国家标准现行采标
GB/T 13387-2009
硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法
Test method for measuring flat length wafers of silicon and other electronic materials
- 实施日期
- 2010-06-01
- ICS 分类
- 29.045
推荐性国家标准现行
GB/T 6624-2009
硅抛光片表面质量目测检验方法
Standard method for measuring the surface quality of polished silicon slices by visual inspection
- 实施日期
- 2010-06-01
- ICS 分类
- 29.045
推荐性国家标准现行
GB/T 6621-2009
硅片表面平整度测试方法
Testing methods for surface flatness of silicon slices
- 实施日期
- 2010-06-01
- ICS 分类
- 29.045
推荐性国家标准现行
GB/T 6618-2009
硅片厚度和总厚度变化测试方法
Test method for thickness and total thickness variation of silicon slices
- 实施日期
- 2010-06-01
- ICS 分类
- 29.045
推荐性国家标准现行
GB/T 6617-2009
硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe
- 实施日期
- 2010-06-01
- ICS 分类
- 29.045
推荐性国家标准现行
GB/T 4061-2009
硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
Polycrystalline silicon-examination method-assessment of sandwiches on cross-section by chemical corrosion
- 实施日期
- 2010-06-01
- ICS 分类
- 29.045
推荐性国家标准现行
GB/T 4058-2009
硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers
- 实施日期
- 2010-06-01
- ICS 分类
- 29.045
推荐性国家标准废止
GB/T 24582-2009
酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质
Test method for measuring surface metal contamination of polycrystalline silicon by acid extraction-inductively coupled plasma mass spectrometry
- 实施日期
- 2010-06-01
- ICS 分类
- 29.045
推荐性国家标准废止
GB/T 1555-2009
半导体单晶晶向测定方法
Testing methods for determining the orientation of a semiconductor single crystal
- 实施日期
- 2010-06-01
- ICS 分类
- 29.045
推荐性国家标准现行
GB/T 1554-2009
硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
Testing method for crystallographic perfection of silicon by preferential etch techniques
- 实施日期
- 2010-06-01
- ICS 分类
- 29.045
推荐性国家标准废止
GB/T 1553-2009
硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
Test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconduetivity decay
- 实施日期
- 2010-06-01
- ICS 分类
- 29.045
推荐性国家标准废止
GB/T 14146-2009
硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method
- 实施日期
- 2010-06-01
- ICS 分类
- 29.045
推荐性国家标准现行
GB/T 14141-2009
硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
- 实施日期
- 2010-06-01
- ICS 分类
- 29.045
推荐性国家标准废止
GB/T 14140-2009
硅片直径测量方法
Test method for measuring diameter of semiconductor wafer
- 实施日期
- 2010-06-01
- ICS 分类
- 29.045
推荐性国家标准废止
GB/T 14264-2009
半导体材料术语
Semiconductor materials-terms and definitions
- 实施日期
- 2010-06-01
- ICS 分类
- 29.045
推荐性国家标准废止
GB/T 11094-2007
水平法砷化镓单晶及切割片
Horizontal bridgman grown gallium arsenide single crystal and cutting wafer
- 实施日期
- 2008-02-01
- ICS 分类
- 29.045
推荐性国家标准现行
GB/T 11093-2007
液封直拉法砷化镓单晶及切割片
Liquid encapsulated czochralski - grown gallium arsenide single crystals and as-cut slices
- 实施日期
- 2008-02-01
- ICS 分类
- 29.045
推荐性国家标准废止
GB/T 11071-2006
区熔锗锭
Zone-refined germanium ingot
- 实施日期
- 2006-11-01
- ICS 分类
- 29.045
推荐性国家标准废止
GB/T 11070-2006
还原锗锭
Reduced germanium ingot
- 实施日期
- 2006-11-01
- ICS 分类
- 29.045