半导体分立器件（31.080）标准题录

Semiconductor devices Discret devices Blank detail specification for bidirectional triode thyristors(triacs),ambient and case-rated,for currents greater than 100A

实施日期: 2005-10-01
ICS 分类: 31.080.20

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推荐性国家标准现行采标

2005-03-23

GB/T 13151-2005

半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第3篇电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范

Semiconductor devices Discrete devices Part 6:Thyristors Section Three-Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient and case-rated,for currents greater than 100A

实施日期: 2005-10-01
ICS 分类: 31.080.20

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推荐性国家标准废止

2004-02-04

GB/T 8446.3-2004

电力半导体器件用散热器第3部分:绝缘件和紧固件

Heat sink for power semiconductor device--Part 3:Insulators and fasteners

实施日期: 2004-08-01
ICS 分类: 31.080

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推荐性国家标准废止

2004-02-04

GB/T 8446.2-2004

电力半导体器件用散热器第2部分:热阻和流阻测试方法

Heat sink for power semiconductor device--Part 2:Measuring method of thermal resistance and inputfluid-output fluid pressure difference

实施日期: 2004-08-01
ICS 分类: 31.080

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推荐性国家标准废止

2004-02-04

GB/T 8446.1-2004

电力半导体器件用散热器第1部分:铸造类系列

Heat sink for power semiconductor device--Part 1:Casting kind series

实施日期: 2004-08-01
ICS 分类: 31.080

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推荐性国家标准现行采标

2002-12-04

GB/T 6589-2002

半导体器件分立器件第3-2部分:信号(包括开关)和调整二极管电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管) 空白详细规范

Semiconductordevices--Discrete devices--Part 3-2:Signal (including switching) and regulator diodes--Blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes (excluding temperature-compensated precision reference diodes)

实施日期: 2003-05-01
ICS 分类: 31.080.10

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推荐性国家标准现行

2001-11-05

GB/T 11499-2001

半导体分立器件文字符号

Letter symbols for discrete semiconductor devices

实施日期: 2002-06-01
ICS 分类: 31.080.01

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推荐性国家标准现行采标

2000-10-17

GB/T 6588-2000

半导体器件分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管第1篇信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范

Semiconductor devices--Discrete devices--Part 3:Signal(including switching) and regulator diodes--Section One--Blank detail specification for signal diodes，switching diodes and controlled-avalanche diodes

实施日期: 2001-10-01
ICS 分类: 31.080.10

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推荐性国家标准现行采标

1999-08-02

GB/T 12560-1999

半导体器件分立器件分规范

Semiconductor devices--Sectional specification for discrete devices

实施日期: 2000-03-01
ICS 分类: 31.080.01

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推荐性国家标准现行采标

1998-11-17

GB/T 7576-1998

半导体器件分立器件第7部分:双极型晶体管第四篇高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范

Semiconductor devices--Discrete devices--Part 7:Bipolar transistors--Section Four:Blank detail specification for case-rated bipolartransistors for high-frequency amplification

实施日期: 1999-06-01
ICS 分类: 31.080.30

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推荐性国家标准现行采标

1998-11-17

GB/T 6217-1998

半导体器件分立器件第7部分:双极型晶体管第一篇高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范

Semiconductor devices--Discrete devices--Part 7:Bipolar transistors--Section One:Blank detail speci-fication for ambient-rated bipolar transistors for low and high frequency amplification

实施日期: 1999-06-01
ICS 分类: 31.080.30

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国家标准题录