半导体分立器件（31.080）标准题录

Micro-electromechanical systems (MEMS) technology—Wafer curvature and cantilever beam deflection test methods for determining residual stresses of MEMS films

实施日期: 2025-04-01
ICS 分类: 31.080.99

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推荐性国家标准现行采标

2024-09-29

GB/T 44513-2024

微机电系统（MEMS）技术传感器用MEMS压电薄膜的环境试验方法

Micro-electromechanical systems (MEMS) technology—Environmental test methods of MEMS piezoelectric thin films for sensor application

实施日期: 2025-01-01
ICS 分类: 31.080.99

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推荐性国家标准现行采标

2024-09-29

GB/T 44514-2024

微机电系统（MEMS）技术层状MEMS材料界面黏附能四点弯曲试验方法

Micro-electromechanical systems (MEMS) technology—Four-point bending test method for interfacial adhesion energy of layered MEMS materials

实施日期: 2024-09-29
ICS 分类: 31.080.99

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推荐性国家标准现行采标

2024-09-29

GB/T 44515-2024

微机电系统（MEMS）技术 MEMS压电薄膜机电转换特性测量方法

Micro-electromechanical systems (MEMS) technology—Measurement methods of electro-mechanical conversion characteristics of MEMS piezoelectric thin film

实施日期: 2025-01-01
ICS 分类: 31.080.99

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推荐性国家标准现行

2024-09-29

GB/T 44531-2024

微机电系统（MEMS）技术基于MEMS技术的车规级压力传感器技术规范

Micro-electromechanical systems（MEMS）technology—Technical specification of automotive grade pressure sensor based on MEMS technology

实施日期: 2024-09-29
ICS 分类: 31.080.99

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2024-09-29

GB/T 44635-2024

静电放电敏感度试验传输线脉冲器件级

Electrostatic discharge sensitivity testing—Transmission line pulse(TLP)—Component level

实施日期: 2024-09-29
ICS 分类: 31.080

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2024-03-15

GB/T 15651.5-2024

半导体器件第5-5部分：光电子器件光电耦合器

Semiconductor devices—Part 5-5: Optoelectronic devices—Photocouplers

实施日期: 2024-07-01
ICS 分类: 31.080

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2024-03-15

GB/T 4937.35-2024

半导体器件机械和气候试验方法第35部分：塑封电子元器件的声学显微镜检查

Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 35: Acoustic microscopy for plastic encapsulated electronic components

实施日期: 2024-07-01
ICS 分类: 31.080.01

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2024-03-15

GB/T 4937.34-2024

半导体器件机械和气候试验方法第34部分：功率循环

Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 34:Power cycling

实施日期: 2024-07-01
ICS 分类: 31.080.01

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推荐性国家标准现行采标

2023-12-28

GB/T 43493.3-2023

半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第3部分：缺陷的光致发光检测方法

Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 3: Test method for defects using photoluminescence

实施日期: 2024-07-01
ICS 分类: 31.080.99

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推荐性国家标准现行采标

2023-12-28

GB/T 43493.2-2023

半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第2部分：缺陷的光学检测方法

Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 2: Test method for defects using optical inspection

实施日期: 2024-07-01
ICS 分类: 31.080.99

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2023-12-28

GB/T 43493.1-2023

半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第1部分：缺陷分类

Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 1: Classification of defects

实施日期: 2024-07-01
ICS 分类: 31.080.99

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2023-09-07

GB/T 4587-2023