二极管（31.080.10）标准题录 – 认证检测服务中心

Semiconductordevices--Discrete devices--Part 3-2:Signal (including switching) and regulator diodes--Blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes (excluding temperature-compensated precision reference diodes)

实施日期: 2003-05-01
ICS 分类: 31.080.10

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推荐性国家标准现行采标

2000-10-17

GB/T 6588-2000

半导体器件分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管第1篇信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范

Semiconductor devices--Discrete devices--Part 3:Signal(including switching) and regulator diodes--Section One--Blank detail specification for signal diodes，switching diodes and controlled-avalanche diodes

实施日期: 2001-10-01
ICS 分类: 31.080.10

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推荐性国家标准现行采标

1998-11-17

GB/T 6351-1998

半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范

Semiconductor devices--Discrete devices--Part 2:Rectifier diodes--Section One:Blank detail specification for rectifier diodes(including avalanche recti fier diodes)，ambient and case-rated，up to 100A

实施日期: 1999-06-01
ICS 分类: 31.080.10

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1997-06-28

GB/T 16894-1997

大于100A，环境和管壳额定的整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范

Blank detail specification for rectifier diodes (including avalanche rectifier diodes)，ambient and case-rated，for currents greater than 100A

实施日期: 1998-03-01
ICS 分类: 31.080.10

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推荐性国家标准现行采标

1995-07-24

GB/T 6571-1995

半导体器件分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管

Semiconductordevices--Discrete devices--Part 3:Signal(including switching)and regulator diodes

实施日期: 1996-04-01
ICS 分类: 31.080.10

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