三极管（31.080.30）标准题录 – 认证检测服务中心

推荐性国家标准即将实施采标

2026-04-30

GB/T 4023.4-2026

半导体分立器件第4部分：微波二极管和晶体管

Discrete semiconductor devices—Part 4: Microwave diodes and transistors

实施日期: 2026-11-01
ICS 分类: 31.080.10;31.080.30

查看标准信息官方页面

推荐性国家标准即将实施采标

2026-04-30

GB/T 45716.1-2026

半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验

Semiconductor devices—Bias-temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs)—Part 1: Fast bias-temperature instability test for MOSFETs

实施日期: 2026-11-01
ICS 分类: 31.080.30

查看标准信息官方页面

推荐性国家标准即将实施

2026-03-31

GB/T 7576-2026

半导体分立器件大功率双极型晶体管空白详细规范

Discrete semiconductor devices—Blank detail specification for high power bipolar transistors

实施日期: 2026-10-01
ICS 分类: 31.080.30

查看标准信息官方页面

推荐性国家标准即将实施

2026-03-31

GB/T 6217-2026

半导体分立器件小功率双极型晶体管空白详细规范

Discrete semiconductor devices—Blank detail specification for low power bipolar transistors

实施日期: 2026-10-01
ICS 分类: 31.080.30

查看标准信息官方页面

推荐性国家标准现行采标

2023-09-07

GB/T 4587-2023

半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管

Semiconductor devices—Discrete devices—Part 7:Bipolar transistors

实施日期: 2024-04-01
ICS 分类: 31.080.30

查看标准信息官方页面

推荐性国家标准现行

2019-06-04

GB/T 37660-2019

柔性直流输电用电力电子器件技术规范

Technical specification of power electronic devices for high-voltage direct current (HVDC) transmission using voltage sourced converters (VSC)

实施日期: 2020-01-01
ICS 分类: 31.080.30

查看标准信息官方页面

推荐性国家标准现行采标

2012-12-31

GB/T 29332-2012

半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors(IGBT)

实施日期: 2013-06-01
ICS 分类: 31.080.30;31.080.01

查看标准信息官方页面

推荐性国家标准现行采标

2007-06-29

GB/T 21039.1-2007

半导体器件分立器件第4-1部分：微波二极管和晶体管微波场效应晶体管空白详细规范

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4-1: Microwave diodes and transistors - Microwave field effect transistors - Blank detail specification

实施日期: 2007-11-01
ICS 分类: 31.080.30

查看标准信息官方页面

推荐性国家标准现行采标

1998-11-17

GB/T 7576-1998

半导体器件分立器件第7部分:双极型晶体管第四篇高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范

Semiconductor devices--Discrete devices--Part 7:Bipolar transistors--Section Four:Blank detail specification for case-rated bipolartransistors for high-frequency amplification

实施日期: 1999-06-01
ICS 分类: 31.080.30

查看标准信息官方页面

推荐性国家标准现行采标

1998-11-17

GB/T 6217-1998

半导体器件分立器件第7部分:双极型晶体管第一篇高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范

Semiconductor devices--Discrete devices--Part 7:Bipolar transistors--Section One:Blank detail speci-fication for ambient-rated bipolar transistors for low and high frequency amplification

实施日期: 1999-06-01
ICS 分类: 31.080.30

查看标准信息官方页面

推荐性国家标准现行采标

1998-11-17

GB/T 6219-1998

半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范

Semiconductor devices--Discrete devices--Part 8:Field-effect transistors--Section One:Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz

实施日期: 1999-06-01
ICS 分类: 31.080.30

查看标准信息官方页面

推荐性国家标准废止采标

1997-10-05

GB/T 17008-1997