半导体分立器件（31.080）标准题录

Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 44: Neutron beam irradiated single event effect (SEE) test method for semiconductor devices

实施日期: 2026-07-01
ICS 分类: 31.080.01

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推荐性国家标准现行采标

2025-12-02

GB/T 4937.38-2025

半导体器件机械和气候试验方法第38部分：带存储的半导体器件的软错误试验方法

Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 38: Soft error test method for semiconductor devices with memory

实施日期: 2026-07-01
ICS 分类: 31.080.01

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推荐性国家标准现行采标

2025-12-02

GB/T 4937.36-2025

半导体器件机械和气候试验方法第36部分：稳态加速度

Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 36:Acceleration，steady state

实施日期: 2026-07-01
ICS 分类: 31.080.01

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推荐性国家标准现行采标

2025-12-02

GB/T 4937.33-2025

半导体器件机械和气候试验方法第33部分：加速耐湿无偏置高压蒸煮

Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 33: Accelerated moisture resistance—Unbiased autoclave

实施日期: 2026-07-01
ICS 分类: 31.080.01

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推荐性国家标准现行采标

2025-10-31

GB/T 46717-2025

半导体器件金属化空洞应力试验

Semiconductor devices—Metallization stress void test

实施日期: 2026-05-01
ICS 分类: 31.080.01

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推荐性国家标准现行采标

2025-10-31

GB/T 4937.16-2025

半导体器件机械和气候试验方法第16部分：粒子碰撞噪声检测（PIND）

Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 16: Particle impact noise detection(PIND)

实施日期: 2026-05-01
ICS 分类: 31.080.01

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推荐性国家标准现行

2025-10-31

GB/T 46567.1-2025

智能计算忆阻器测试方法第1部分：基础特性

Intelligent computing—Test method for memristor—Part 1：Basic characteristics

实施日期: 2025-10-31
ICS 分类: 31.080.99

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推荐性国家标准现行采标

2025-05-30

GB/T 45716-2025

半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验

Semiconductor devices—Bias temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs)

实施日期: 2025-09-01
ICS 分类: 31.080.01

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推荐性国家标准现行采标

2025-05-30

GB/T 45720-2025

半导体器件栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验

Semiconductor devices—Time dependent dielectric breakdown (TDDB) test for gate dielectric films

实施日期: 2025-09-01
ICS 分类: 31.080.01

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推荐性国家标准现行采标

2025-05-30

GB/T 45722-2025

半导体器件恒流电迁移试验

Semiconductor devices—Constant current electromigration test

实施日期: 2025-09-01
ICS 分类: 31.080.01

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推荐性国家标准现行采标

2025-05-30

GB/T 45719-2025

半导体器件金属氧化物半导体（MOS）晶体管的热载流子试验

Semiconductor devices—Hot carrier test on metal-oxide semiconductor(MOS) transistors

实施日期: 2025-09-01
ICS 分类: 31.080.01

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推荐性国家标准现行采标

2025-05-30

GB/T 45718-2025

半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验

Semiconductor devices—Time dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers

实施日期: 2025-09-01
ICS 分类: 31.080.01

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推荐性国家标准现行采标

2025-05-30

GB/T 45721.1-2025

半导体器件应力迁移试验第1部分：铜应力迁移试验

Semiconductor devices—Stress migration test—Part 1: Copper stress migration test

实施日期: 2025-09-01
ICS 分类: 31.080.01

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推荐性国家标准现行采标

2024-11-28

GB/T 44919-2024

微机电系统（MEMS）技术薄膜力学性能的鼓胀试验方法

Micro-electromechanical systems （MEMS）technology—Bulge test method for measuring mechanical properties of thin films

实施日期: 2024-11-28
ICS 分类: 31.080.99

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