指导性技术文件现行采标
GB/Z 107-2025
半导体器件 基于扫描的半导体器件退化水平评估
Semiconductor devices—Scan based ageing level estimation for semiconductor devices
- 实施日期
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- ICS 分类
- 31.080.01
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半导体分立器件综合
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推荐性国家标准现行采标
GB/T 4937.25-2025
半导体器件 机械和气候试验方法 第25部分：温度循环
Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 25: Temperature cycling
- 实施日期
- 2026-07-01
- ICS 分类
- 31.080.01
推荐性国家标准现行采标
GB/T 46789-2025
半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验
Semiconductor devices—Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs)
- 实施日期
- 2026-07-01
- ICS 分类
- 31.080.01
推荐性国家标准现行采标
GB/T 4937.24-2025
半导体器件 机械和气候试验方法 第24部分：加速耐湿 无偏置强加速应力试验
Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 24: Accelerated moisture resistance—Unbiased HAST
- 实施日期
- 2026-07-01
- ICS 分类
- 31.080.01
推荐性国家标准现行采标
GB/T 20521.5-2025
半导体器件 第14-5部分：半导体传感器 PN结半导体温度传感器
Semiconductor devices—Part 14-5:Semiconductor sensors—PN-junction semiconductor temperature sensor
- 实施日期
- 2026-07-01
- ICS 分类
- 31.080.01
推荐性国家标准现行采标
GB/T 4937.29-2025
半导体器件 机械和气候试验方法 第29部分：闩锁试验
Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 29: Latch-up test
- 实施日期
- 2026-07-01
- ICS 分类
- 31.080.01
推荐性国家标准现行采标
GB/T 46788-2025
半导体器件表面镀涂锡和锡合金上的锡须的环境接收要求
Environmental acceptance requirements for tin whisker susceptibility of tin and tin alloy surface finishes on semiconductor devices
- 实施日期
- 2026-07-01
- ICS 分类
- 31.080.01
推荐性国家标准现行采标
GB/T 4937.44-2025
半导体器件 机械和气候试验方法 第44部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验方法
Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 44: Neutron beam irradiated single event effect (SEE) test method for semiconductor devices
- 实施日期
- 2026-07-01
- ICS 分类
- 31.080.01
推荐性国家标准现行采标
GB/T 4937.38-2025
半导体器件 机械和气候试验方法 第38部分：带存储的半导体器件的软错误试验方法
Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 38: Soft error test method for semiconductor devices with memory
- 实施日期
- 2026-07-01
- ICS 分类
- 31.080.01
推荐性国家标准现行采标
GB/T 4937.36-2025
半导体器件 机械和气候试验方法 第36部分：稳态加速度
Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 36:Acceleration，steady state
- 实施日期
- 2026-07-01
- ICS 分类
- 31.080.01
推荐性国家标准现行采标
GB/T 4937.33-2025
半导体器件 机械和气候试验方法 第33部分：加速耐湿 无偏置高压蒸煮
Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 33: Accelerated moisture resistance—Unbiased autoclave
- 实施日期
- 2026-07-01
- ICS 分类
- 31.080.01
推荐性国家标准现行采标
GB/T 46717-2025
半导体器件 金属化空洞应力试验
Semiconductor devices—Metallization stress void test
- 实施日期
- 2026-05-01
- ICS 分类
- 31.080.01
推荐性国家标准现行采标
GB/T 4937.16-2025
半导体器件 机械和气候试验方法 第16部分：粒子碰撞噪声检测（PIND）
Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 16: Particle impact noise detection(PIND)
- 实施日期
- 2026-05-01
- ICS 分类
- 31.080.01
推荐性国家标准现行采标
GB/T 45716-2025
半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验
Semiconductor devices—Bias temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs)
- 实施日期
- 2025-09-01
- ICS 分类
- 31.080.01
推荐性国家标准现行采标
GB/T 45720-2025
半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验
Semiconductor devices—Time dependent dielectric breakdown (TDDB) test for gate dielectric films
- 实施日期
- 2025-09-01
- ICS 分类
- 31.080.01
推荐性国家标准现行采标
GB/T 45722-2025
半导体器件 恒流电迁移试验
Semiconductor devices—Constant current electromigration test
- 实施日期
- 2025-09-01
- ICS 分类
- 31.080.01
推荐性国家标准现行采标
GB/T 45719-2025
半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验
Semiconductor devices—Hot carrier test on metal-oxide semiconductor(MOS) transistors
- 实施日期
- 2025-09-01
- ICS 分类
- 31.080.01
推荐性国家标准现行采标
GB/T 45718-2025
半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验
Semiconductor devices—Time dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers
- 实施日期
- 2025-09-01
- ICS 分类
- 31.080.01
推荐性国家标准现行采标
GB/T 45721.1-2025
半导体器件 应力迁移试验 第1部分：铜应力迁移试验
Semiconductor devices—Stress migration test—Part 1: Copper stress migration test
- 实施日期
- 2025-09-01
- ICS 分类
- 31.080.01
推荐性国家标准现行采标
GB/T 20870.4-2024
半导体器件 第16-4部分：微波集成电路 开关
Semiconductor devices—Part 16-4：Microwave intergrated circuits—Switches
- 实施日期
- 2024-10-26
- ICS 分类
- 31.080.01